国家工业Fig.3Collectedin-situTEMimagesandcorrespondingSAEDpatternswithPCNF/A550/S,whichpresentstheinitialstate,fulllithiationstateandhighresolutionTEMimagesoflithiatedPCNF/A550/SandPCNF/A750/S.材料物理化学表征UV-visUV-visspectroscopy全称为紫外-可见光吸收光谱。

互联o,p)PDPF薄膜的可能的分子堆积示意图。网标d-f)PDPF薄膜的GIWAXS图像。

识解图2热电性能表征a)不同N-DMBI质量比下材料的电导率。析南线中b)PDPH和PDPF的DFT优化几何构型。通天工突破图4FET表征及载流子传输性能a)PDPH的转移曲线。

(3)降低载流子跳跃势垒，点上同时保持迁移性不仅不受影响而且大大提高。多种表征技术结果表明，业赋供体单元的吸电子改性增强了聚合物的电子亲和力并改变了聚合物填充取向，使得其混溶性和n掺杂效率得到显著改善。

国家工业c)不同n掺杂比下PDPH和PDPF薄膜的费米能级位移(由PDPH和PDPF薄膜的UPS光谱计算所得)。

互联d)不同n掺杂比下PDPH和PDPF薄膜的HOMO能级位移(由PDPH和PDPF薄膜的UPS光谱计算所得)。网标插图显示在溶液（左）和粉末（右）形成的TB1的荧光图像。

识解f）载有蛋白质-NPTAT复合物的微载体在730nm或808nm激发下在不同时间对小鼠进行NIR-II荧光成像。析南线中f）在不同时间点使用TB1-RGD点（顶部）和TB1点（底部）对原位脑肿瘤进行靶向NIR-II荧光成像。

【成果简介】近日，通天工突破Adv.Mater.在线刊登了新加坡国立大学的刘斌教授（通讯作者）等人总结的题为RecentAdvancesofOpticalImagingintheSecondNear-InfraredWindow综述，通天工突破报道了NIR-II光学成像的进展。2.1、点上无机纳米材料的NIR-II荧光成像2.1.1、单壁碳纳米管（SWCNTs）的NIR-II成像Figure2.单壁碳纳米管(SWCNTs)的NIR-II荧光成像。